IXGC16N60B2D1

IXGC16N60B2D1概述

IGBT Transistors 8A 600V 2.3V Rds

IGBT PT 通孔 ISOPLUS220™


得捷:
IGBT 600V 28A 63W ISOPLUS220


贸泽:
IGBT Transistors 8 Amps 600V 2.3V Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220


IXGC16N60B2D1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 110 ns

额定功率Max 63 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-220

外形尺寸

长度 11 mm

宽度 5 mm

高度 16 mm

封装 ISOPLUS-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGC16N60B2D1
型号: IXGC16N60B2D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT Transistors 8A 600V 2.3V Rds

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