IXGH40N60C2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH40N60C2D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 600 V 75 A 300 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
IGBT 600V 75A 300W TO247AD

IXGH40N60C2D1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买IXGH40N60C2D1

型号： IXGH40N60C2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXGH40N60C2D1