IXSQ20N60B2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSQ20N60B2D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3Pin3+Tab TO-247

Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-247

得捷:
IGBT 600V 35A 190W TO3P

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-247

Online Components:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-247

IXSQ20N60B2D1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 35.0 A

上升时间 30.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 30 ns

额定功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSQ20N60B2D1

型号： IXSQ20N60B2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3Pin3+Tab TO-247