IXGR50N60B2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGR50N60B2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 68A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT - 600 V 68 A 200 W 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 68A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXGR50N60B2中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR50N60B2

型号： IXGR50N60B2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 68A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247