IXGH50N60B2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH50N60B2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 400000mW 3Pin3+Tab TO-247

IGBT PT 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 600V 75A 400W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
IGBT 600V 75A 400W TO247

IXGH50N60B2中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 400 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH50N60B2

型号： IXGH50N60B2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 400000mW 3Pin3+Tab TO-247

替代型号IXGH50N60B2