IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT PT 600V 48A 250W Through Hole TO-247AD IXSH
得捷:
IGBT 600V 48A 250W TO247
欧时:
### IGBT 分立，IXYS![http://china.rs-online.com/largeimages/L214406-01.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/L214406-01.gif![http://china.rs-online.com/largeimages/L485858-01.jpg]http://china.rs-online.com/largeimages/L485858-01.jpg ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
贸泽:
IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.5 Rds
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 250000mW 3-Pin3+Tab TO-247
Win Source:
IGBT 600V 48A 250W TO247
额定电压DC 600 V
额定电流 48.0 A
耗散功率 250 W
上升时间 30.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 30 ns
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXSH30N60B2D1 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXXH30N60B3D1 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXSH30N60B2D1和IXXH30N60B3D1的区别 |