IXGT60N60

IXGT60N60图片1
IXGT60N60概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin2+Tab TO-268

IGBT PT 600V 75A 300W Surface Mount TO-268


得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO268


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin2+Tab TO-268


DeviceMart:
IGBT 600V 75A TO-268


IXGT60N60中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT60N60
型号: IXGT60N60
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin2+Tab TO-268

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