IXGA16N60B2

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IXGA16N60B2概述

IGBT 600V 40A 150W TO263

IGBT PT 表面贴装型 TO-263(IXGA)


得捷:
IGBT 600V 40A 150W TO263


贸泽:
IGBT Transistors 16 Amps 600V 2.3V Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK


Win Source:
HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed


IXGA16N60B2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 9.2 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGA16N60B2
型号: IXGA16N60B2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 600V 40A 150W TO263
替代型号IXGA16N60B2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGA16N60B2

IXYS Semiconductor

当前型号

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IXGA20N120B3

IXYS Semiconductor

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