IXGC16N60C2D1概述
IGBT Transistors 8A 600V 3V Rds
IGBT PT 通孔 ISOPLUS220™
得捷:
IGBT 600V 20A 63W ISOPLUS220
贸泽:
IGBT Transistors 8 Amps 600V 3 V Rds
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220
IXGC16N60C2D1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 63.0 W
上升时间 35.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 30 ns
额定功率Max 63 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-220
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 5 mm
高度 16 mm
封装 ISOPLUS-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IXGC16N60C2D1