IXGT60N60B2

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IXGT60N60B2概述

IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 V Rds

IGBT PT 600 V 75 A 500 W 表面贴装型 TO-268AA


得捷:
IGBT 600V 75A 500W TO268


贸泽:
IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 V Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin2+Tab TO-268


Win Source:
IGBT 600V 75A 500W TO268 / IGBT PT 600 V 75 A 500 W Surface Mount TO-268AA


IXGT60N60B2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT60N60B2
型号: IXGT60N60B2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 V Rds

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