IXGH60N60B2

IXGH60N60B2图片1
IXGH60N60B2图片2
IXGH60N60B2图片3
IXGH60N60B2图片4
IXGH60N60B2图片5
IXGH60N60B2图片6
IXGH60N60B2图片7
IXGH60N60B2图片8
IXGH60N60B2图片9
IXGH60N60B2概述

IGBT 分立,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立,IXYS


得捷:
IGBT 600V 75A 500W TO247


欧时:
IXYS IXGH60N60B2 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 75 A, 3引脚 TO-247AD封装


贸泽:
IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 V Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXGH60N60B2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH60N60B2
型号: IXGH60N60B2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 分立,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
替代型号IXGH60N60B2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGH60N60B2

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGH72N60B3

IXYS Semiconductor

类似代替

IXGH60N60B2和IXGH72N60B3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台