IXGP30N60C2

IXGP30N60C2图片1
IXGP30N60C2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin3+Tab TO-220

IGBT PT 600 V 70 A 190 W 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 70A 190W TO220


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin3+Tab TO-220


IXGP30N60C2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP30N60C2
型号: IXGP30N60C2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin3+Tab TO-220
替代型号IXGP30N60C2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXYP30N120C3

IXYS Semiconductor

功能相似

IXYP30N120C3和IXYP30N120C3的区别

IXGP30N60C2

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台