IXGT30N60B2

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IXGT30N60B2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin2+Tab TO-268

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching

Features

Medium frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

\- drive simplicity


得捷:
IGBT 600V 70A 190W TO268


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin2+Tab TO-268


IXGT30N60B2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT30N60B2
型号: IXGT30N60B2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin2+Tab TO-268

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