IXGP7N60B

IXGP7N60B图片1
IXGP7N60B概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin3+Tab TO-220AB

IGBT PT 600 V 14 A 54 W 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 14A 54W TO220


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Win Source:
IGBT 600V 14A 54W TO220


IXGP7N60B中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 54 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP7N60B
型号: IXGP7N60B
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin3+Tab TO-220AB
替代型号IXGP7N60B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGP7N60B

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

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IXYS Semiconductor

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