IXGJ40N60C2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGJ40N60C2D1概述

IGBT 600V 75A 300W TO268

IGBT PT 通孔 TO-268

得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO268

贸泽:
IGBT Transistors 40 Amps 600V 2.7 V Rds

IXGJ40N60C2D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGJ40N60C2D1

型号： IXGJ40N60C2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 75A 300W TO268