IXST30N60B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXST30N60B概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin2+Tab TO-268

IGBT PT 600 V 55 A 200 W 表面贴装型 TO-268

得捷:
IGBT 600V 55A 200W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3-Pin2+Tab TO-268

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3-Pin2+Tab TO-268

IXST30N60B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXST30N60B

型号： IXST30N60B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin2+Tab TO-268