IXGK120N60C2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGK120N60C2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-264

IGBT PT 600 V 75 A 830 W 通孔 TO-264（IXGK）

得捷:
IGBT 600V 75A 830W TO264

贸泽:
IGBT Transistors 120 Amps 600V

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-264

IXGK120N60C2中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 830 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 19.96 mm

宽度 5.13 mm

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGK120N60C2

型号： IXGK120N60C2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-264