IXGH12N60CD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH12N60CD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 600V 24A 100W TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin3+Tab TO-247AD

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 12A; 100W; TO247AD

Win Source:
IGBT 600V 24A 100W TO247AD

IXGH12N60CD1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 100 W

耗散功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH12N60CD1

型号： IXGH12N60CD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3Pin3+Tab TO-247AD