IXSH45N120B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSH45N120B概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 75A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 1200V 75A 300W Through Hole TO-247AD IXSH

得捷:
IGBT 1200V 75A 300W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXSH45N120B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSH45N120B

型号： IXSH45N120B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 75A 3Pin3+Tab TO-247AD