IXGX50N60BD1

IXGX50N60BD1图片1
IXGX50N60BD1图片2
IXGX50N60BD1图片3
IXGX50N60BD1概述

IGBT 600V 75A 300W TO247

IGBT 600V 75A 300W Through Hole PLUS247™-3


得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab PLUS 247


IXGX50N60BD1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGX50N60BD1
型号: IXGX50N60BD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 600V 75A 300W TO247
替代型号IXGX50N60BD1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGX50N60BD1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGX72N60B3H1

IXYS Semiconductor

类似代替

IXGX50N60BD1和IXGX72N60B3H1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台