Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin2+Tab TO-268
IGBT PT 600 V 70 A 190 W 表面贴装型 TO-268AA
得捷: IGBT 600V 70A 190W TO268
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin2+Tab TO-268
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 190 W
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册