IXGK60N60参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGK60N60概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-264

IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole

得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO264

贸泽:
IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.7 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-264

IXGK60N60中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 19.96 mm

宽度 5.13 mm

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGK60N60

型号： IXGK60N60

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-264