IXSH50N60B

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IXSH50N60B概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 600 V 75 A 250 W Through Hole TO-247AD


得捷:
IGBT 600V 75A 250W TO247


贸泽:
IGBT Transistors 75 Amps 600V 2.5 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXSH50N60B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSH50N60B
型号: IXSH50N60B
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247AD
替代型号IXSH50N60B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

当前型号

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