IXGA12N60B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGA12N60B概述

IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds

IGBT - 表面贴装型 TO-263（IXGA）

得捷:
IGBT 600V 24A 100W TO263AA

贸泽:
IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin2+Tab TO-263AA

IXGA12N60B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGA12N60B

型号： IXGA12N60B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds

替代型号IXGA12N60B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXGA12N60B IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXGA20N120B3 IXYS Semiconductor	类似代替	IXGA12N60B和IXGA20N120B3的区别

型号/品牌

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替代型号对比

IXGA12N60B

IXYS Semiconductor

当前型号

IXGA20N120B3

IXYS Semiconductor

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