IXST35N120B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXST35N120B概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin2+Tab TO-268

IGBT PT 1200 V 70 A 300 W 表面贴装型 TO-268AA

得捷:
IGBT 1200V 70A 300W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin2+Tab TO-268

IXST35N120B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXST35N120B

型号： IXST35N120B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin2+Tab TO-268