IXGT30N60C2D1

IXGT30N60C2D1图片1
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IXGT30N60C2D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin2+Tab TO-268

C2-Class High Speed IGBTs

Features

Very high frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

\- drive simplicity


得捷:
IGBT 600V 70A 190W TO268


贸泽:
IGBT Transistors 30 Amps 600V 2.7 V Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin2+Tab TO-268


IXGT30N60C2D1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 190 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT30N60C2D1
型号: IXGT30N60C2D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin2+Tab TO-268
替代型号IXGT30N60C2D1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGT30N60C2D1

IXYS Semiconductor

当前型号

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IXGH30N60C2D1

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