IXGA12N60C

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IXGA12N60C概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3Pin2+Tab TO-263AA

IGBT - 表面贴装型 TO-263(IXGA)


得捷:
IGBT 600V 24A 100W TO263AA


贸泽:
IGBT Transistors 24 Amps 600V 2.7 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin2+Tab TO-263AA


Win Source:
IGBT 600V 24A 100W TO263AA / IGBT 600 V 24 A 100 W Surface Mount TO-263AA


IXGA12N60C中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGA12N60C
型号: IXGA12N60C
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3Pin2+Tab TO-263AA

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