IXGX50N60C2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGX50N60C2D1概述

IGBT 600V 75A 480W TO247

IGBT PT 600V 75A 480W Through Hole PLUS247™-3

得捷:
IGBT 600V 75A 480W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXGX50N60C2D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 480 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGX50N60C2D1

型号： IXGX50N60C2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 75A 480W TO247