IXSK35N120BD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSK35N120BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab TO-264AA

IGBT PT 1200V 70A 300W Through Hole TO-264AAIXSK

得捷:
IGBT 1200V 70A 300W TO264

贸泽:
IGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.6 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab TO-264AA

Win Source:
HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE

IXSK35N120BD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 40 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 19.96 mm

宽度 5.13 mm

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSK35N120BD1

型号： IXSK35N120BD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab TO-264AA

替代型号IXSK35N120BD1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXSK35N120BD1 IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
APT33GF120LRD 美高森美	功能相似	IXSK35N120BD1和APT33GF120LRD的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IXSK35N120BD1

IXYS Semiconductor

当前型号

APT33GF120LRD

美高森美

功能相似