IXSH15N120B

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IXSH15N120B概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 1200V 30A 150W Through Hole TO-247AD IXSH


得捷:
IGBT 1200V 30A 150W TO247


贸泽:
IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.4 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXSH15N120B中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSH15N120B
型号: IXSH15N120B
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin3+Tab TO-247AD

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