IXSP15N120B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSP15N120B概述

IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds

IGBT 1200V 30A 150W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 1200V 30A 150W TO220AB

贸泽:
IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB

IXSP15N120B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSP15N120B

型号： IXSP15N120B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds