IXGH30N60BU1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH30N60BU1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin3+Tab TO-247AD

Features

International standard packages JEDEC TO-247 SMD surface mountable and JEDEC TO-247 AD

High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package

High current handling capability

Newest generation HDMOS™ process

MOS Gate turn-on

\- drive simplicity

得捷:
IGBT 600V 60A 200W TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
IGBT 600V 60A 200W TO247AD

IXGH30N60BU1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 200 W

耗散功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH30N60BU1

型号： IXGH30N60BU1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXGH30N60BU1