IXGQ90N33TC

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IXGQ90N33TC概述

IGBT 330V 90A 200W TO3P

IGBT Trench 330V 90A 200W Through Hole TO-3P


得捷:
IGBT 330V 90A 200W TO3P


IXGQ90N33TC中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGQ90N33TC
型号: IXGQ90N33TC
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IGBT 330V 90A 200W TO3P

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