IXSR35N120BD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSR35N120BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT PT 1200V 70A 250W Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 1200V 70A 250W ISOPLUS247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXSR35N120BD1中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN, N-Channel

耗散功率 250 W

上升时间 180 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 40 ns

额定功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSR35N120BD1

型号： IXSR35N120BD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 70A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247