IXGB75N60BD1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGB75N60BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3Pin PLUS 264

IGBT - 通孔 PLUS264™

得捷:
IGBT 600V 120A 360W PLUS264

贸泽:
IGBT Transistors 120 Amps 600V 2.3 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin PLUS 264

IXGB75N60BD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 360 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 20.29 mm

宽度 5.31 mm

高度 26.59 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGB75N60BD1

型号： IXGB75N60BD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3Pin PLUS 264