IXGH20N60B

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IXGH20N60B概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 通孔 TO-247AD(IXGH)


得捷:
IGBT 600V 40A 150W TO247AD


贸泽:
IGBT Transistors 40 Amps 600V 2 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-247AD


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 40A; 150W; TO247AD


Win Source:
IGBT 600V 40A 150W TO247AD


IXGH20N60B中文资料参数规格
技术参数

额定功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH20N60B
型号: IXGH20N60B
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin3+Tab TO-247AD
替代型号IXGH20N60B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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