IXGR40N60C2D1

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IXGR40N60C2D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 170000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT PT 600V 56A 170W Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
IGBT 600V 56A 170W ISOPLUS247


贸泽:
IGBT Transistors HI SPEED IGBT 600V 27 AMP


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 170000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXGR40N60C2D1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 170000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 170 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR40N60C2D1
型号: IXGR40N60C2D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 170000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

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