IXSR40N60BD1

IXSR40N60BD1图片1
IXSR40N60BD1图片2
IXSR40N60BD1图片3
IXSR40N60BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 170000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT PT 600V 70A 170W Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
IGBT 600V 70A 170W ISOPLUS247


贸泽:
IGBT Transistors 70 Amps 600V 2.2 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 170000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXSR40N60BD1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 170 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSR40N60BD1
型号: IXSR40N60BD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 170000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247
替代型号IXSR40N60BD1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXSR40N60BD1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXXR100N60B3H1

IXYS Semiconductor

功能相似

IXSR40N60BD1和IXXR100N60B3H1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台