IXSH30N60BD1

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IXSH30N60BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AD IXSH


得捷:
IGBT 600V 55A 200W TO247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Win Source:
IGBT 600V 55A 200W TO247


IXSH30N60BD1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 200 W

耗散功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSH30N60BD1
型号: IXSH30N60BD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin3+Tab TO-247AD
替代型号IXSH30N60BD1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXSH30N60BD1

IXYS Semiconductor

当前型号

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IXXH30N60B3D1

IXYS Semiconductor

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