IXGR50N60B

IXGR50N60B图片1
IXGR50N60B图片2
IXGR50N60B图片3
IXGR50N60B概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


得捷:
IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Online Components:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXGR50N60B中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR50N60B
型号: IXGR50N60B
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247
替代型号IXGR50N60B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGR50N60B

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXER60N120

IXYS Semiconductor

类似代替

IXGR50N60B和IXER60N120的区别

IXSN62N60U1

IXYS Semiconductor

类似代替

IXGR50N60B和IXSN62N60U1的区别

IXDN75N120

IXYS Semiconductor

功能相似

IXGR50N60B和IXDN75N120的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台