IXSR40N60CD1

IXSR40N60CD1图片1
IXSR40N60CD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 62A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT PT 600V 62A 210W Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
IGBT 600V 62A 210W ISOPLUS247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 62A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXSR40N60CD1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 210 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSR40N60CD1
型号: IXSR40N60CD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 62A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247
替代型号IXSR40N60CD1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXSR40N60CD1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXXH50N60C3D1

IXYS Semiconductor

功能相似

IXSR40N60CD1和IXXH50N60C3D1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台