IXGK50N60AU1

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IXGK50N60AU1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-264AA

IGBT 600V 75A 300W Through Hole


得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO264AA


贸泽:
IGBT Transistors 50 Amps 600V


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin3+Tab TO-264AA


IXGK50N60AU1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 20.29 mm

宽度 5.31 mm

高度 26.59 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGK50N60AU1
型号: IXGK50N60AU1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-264AA
替代型号IXGK50N60AU1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

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