IXGH41N60参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH41N60概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 20000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 600 V 76 A 200 W 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 600V 76A 200W TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors 76 Amps 600V 1.6 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
IGBT 600V 76A 200W TO247AD

IXGH41N60中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 20000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH41N60

型号： IXGH41N60

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 20000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXGH41N60