IXGH31N60D1

IXGH31N60D1图片1
IXGH31N60D1图片2
IXGH31N60D1图片3
IXGH31N60D1图片4
IXGH31N60D1图片5
IXGH31N60D1图片6
IXGH31N60D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT 600V 60A 150W Through Hole TO-247AD IXGH


得捷:
IGBT 600V 60A 150W TO247AD


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Win Source:
IGBT 600V 60A 150W TO247AD


IXGH31N60D1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH31N60D1
型号: IXGH31N60D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin3+Tab TO-247AD
替代型号IXGH31N60D1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGH31N60D1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGH36N60A3D4

IXYS Semiconductor

类似代替

IXGH31N60D1和IXGH36N60A3D4的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台