IXSX40N60CD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSX40N60CD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab PLUS 247

IGBT - 600 V 75 A 280 W 通孔 PLUS247™-3

得捷:
IGBT 600V 75A 280W PLUS247

贸泽:
IGBT Transistors 75 Amps 600V 2.5 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXSX40N60CD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 280 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSX40N60CD1

型号： IXSX40N60CD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab PLUS 247

替代型号IXSX40N60CD1