IXST15N120B

IXST15N120B图片1
IXST15N120B概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin2+Tab TO-268

IGBT PT 1200V 30A 150W Surface Mount TO-268


得捷:
IGBT 1200V 30A 150W TO268


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin2+Tab TO-268


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin2+Tab TO-268


IXST15N120B中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXST15N120B
型号: IXST15N120B
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin2+Tab TO-268

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