IXGK50N60BD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGK50N60BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-264AA

IGBT - 600 V 75 A 300 W 通孔 TO-264（IXGK）

得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO264AA

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin3+Tab TO-264AA

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-264AA

IXGK50N60BD1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGK50N60BD1

型号： IXGK50N60BD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-264AA