IXSH30N60B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSH30N60B概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AD IXSH

得捷:
IGBT 600V 55A 200W TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors 55 Amps 600V 2 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXSH30N60B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSH30N60B

型号： IXSH30N60B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin3+Tab TO-247AD