IXGH34N60B2参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXGH34N60B2图片1

IXGH34N60B2图片2

IXGH34N60B2图片3

IXGH34N60B2图片4

IXGH34N60B2概述

IGBT 600V 70A 190W TO247AD

IGBT - 600 V 70 A 190 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 600V 70A 190W TO247AD

IXGH34N60B2中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH34N60B2

型号： IXGH34N60B2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 70A 190W TO247AD

替代型号IXGH34N60B2

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IXGH34N60B2

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGH36N60B3

IXYS Semiconductor

类似代替

IXGH34N60B2和IXGH36N60B3的区别