IXGR32N60C

IXGR32N60C图片1
IXGR32N60C概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

Features

• DCB Isolated mounting tab

• Meets TO-247AD package Outline

• High current handling capability

• Latest generation HDMOSTM process

• MOS Gate turn-on

   - drive simplicity

Applications

• Uninterruptible power supplies UPS

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Advantages

• Easy assembly

• High power density

• Very fast switching speeds for high frequency applications

IXGR32N60C中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 140 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR32N60C
型号: IXGR32N60C
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

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